對(duì)于MOS管這樣一個(gè)三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。
可以這樣直觀的理解柵極電壓Vg是決定MOS管的是否開(kāi)啟以及MOS管在飽和區(qū)時(shí)的電流可以達(dá)到多大，而漏極電壓Vd則決定MOS管是在線性電阻區(qū)還是在飽和區(qū)。
當(dāng)Vg和Vd初始都為0時(shí)，MOS管可以看成是兩個(gè)相反的PN二極管。然后Vd保持0，加大Vg，MOS管形成反型層，溝道出現(xiàn)聯(lián)通源端和漏端。
這時(shí)候的溝道可以看成一個(gè)恒定的低阻電阻，Vg越大，感應(yīng)的電荷越多，反型層越寬，溝道電阻越小，這時(shí)候的MOS管就進(jìn)入了線性電阻區(qū)的工作狀態(tài)。
下面開(kāi)始增大漏端電壓Vd，這時(shí)候溝道各處的電壓差不均等了。
Vd增加到柵端和漏端電壓之間只相差一個(gè)閾值電壓時(shí)，溝道就處于夾斷狀態(tài)。
當(dāng)溝道夾斷的時(shí)候，夾斷的地方就類似于PN結(jié)的耗盡層，是個(gè)高阻。
但是這個(gè)夾斷并不是真的夾斷的意思，并不意味著沒(méi)有通道了使電流傳過(guò)去了，還是會(huì)留有一條羊腸小道的，但是這個(gè)羊腸小道明顯就沒(méi)有之前的大路好走，電阻很大。
這時(shí)候溝道就相當(dāng)于在原有的一個(gè)電阻后面又加了個(gè)大電阻來(lái)分壓。
漏端電壓Vd繼續(xù)增大，其電壓大多落在耗盡層的大電阻上，落在溝道電阻上的電壓基本不變，而因?yàn)閵A斷的長(zhǎng)度相比溝道長(zhǎng)度是很小的，所以正常溝道的形狀和電阻在微小的夾斷變化時(shí)可以看成近似不變的，所以溝道電阻也不變，這個(gè)時(shí)候溝道的電流也是近似恒定的，這時(shí)候的MOS管就進(jìn)入了飽和區(qū)的工作狀態(tài)。溝道恒定的電流就通過(guò)一條羊腸小道源源不斷的流通了。
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